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e-mode gan 文章 最新資訊

PI TOPSwitchGaN將回激轉換器的功率范圍提升至440W

  • Power Integrations研發(fā)的反激拓撲架構取得技術突破，將反激變換器的功率適用范圍拓展至440 瓦，可有效降低系統(tǒng)成本、設計復雜度與開發(fā)周期，性能超越結構更復雜的傳統(tǒng)諧振及 LLC 拓撲方案。TOPSwitchGaN 反激 IC 系列融合了公司自研PowiGaN 氮化鎵技術與經典 TOPSwitch 芯片架構。全新拓撲不僅簡化電路架構、縮短設計周期，還可讓多數應用省去散熱片。該系列器件堪稱電源設計的根本性變革，把反激電源帶入以往無法企及的功率區(qū)間，以極簡架構實現高效率與高性能表現。TOPSwi
  • 關鍵字： PI  TOPSwitch  GaN  回激轉換器  440W  

中國GaN半導體巨頭專利侵權案ITC作出終裁

  • 美國國際貿易委員會（ITC）全體委員會維持了其于2025年12月作出的初步裁定，確認英諾賽科（Innoscience）侵犯了英飛凌的一項氮化鎵（GaN）技術專利，并下令對英諾賽科實施進口和銷售禁令。不過，ITC委員會的最終裁決及其頒布的相關禁令，仍需經過為期60天的美國總統(tǒng)審查期后才能生效。而作為對終裁的回應，英諾賽科宣布，ITC在第337?TA?1414號調查中作出最終裁定，確認英諾賽科當前的GaN功率器件產品未侵犯英飛凌的相關專利，并可不受限制地繼續(xù)在美國進口和銷售。原文如下：ITC全體委員一致同意英
  • 關鍵字： GaN  氮化鎵  功率器件  英諾賽科  Innoscience  英飛凌  

800V AI算力時代，GaN從“備選”變“剛需”？

  • AI算力正以每3.4個月翻一番的速度狂飆，全球數據中心用電量持續(xù)攀升，預計到2030年將占全球耗電量的7%，電力已成為制約AI產業(yè)發(fā)展的核心瓶頸。單機柜功率從傳統(tǒng)的5-8kW躍升至數百kW，GPU功耗不斷突破上限，供電鏈路的損耗、散熱壓力與空間占用，成為算力擴張路上繞不開的難題。行業(yè)迫切需要一場供電架構革命，去年5月，英偉達率先給出了答案——自2027年起推動機架電源從54V直流全面轉向800V高壓直流架構，以支撐單機架功率超1MW的下一代超大規(guī)模AI算力部署。800V架構的核心價值，是通過提升母線電壓大
  • 關鍵字： 800V  GaN  

Vishay推出適用于GaN和SiC開關應用EMI濾波的新型航天級共模扼流圈

  • 美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2026年4月15日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出一款新型航天級表面貼裝共模扼流圈---SGCM05339，適用于嚴苛航空航天應用電磁干擾（EMI）濾波和噪聲抑制。 Vishay定制磁芯SGCM05339是GaN和SiC開關應用的理想選擇，這類應用的波形會出現銳邊，導致電磁輻射干擾。共模扼流圈還可用于低電流立式電源、分布式電源系統(tǒng)DC/DC轉換器，以及太陽能電池
  • 關鍵字： Vishay  GaN  SiC  開關  EMI濾波  航天級  共模扼流圈  

英特爾推出全球最薄氮化鎵（GaN）芯粒

  • 4 月 9 日，英特爾代工服務（Intel Foundry Services）宣布重大技術突破，成功研發(fā)出全球最薄氮化鎵（GaN）芯粒。其硅襯底厚度僅19 微米，約為人類頭發(fā)絲直徑的 1/5。該芯?；?00 毫米（12 英寸）硅基氮化鎵晶圓制造，采用英特爾自研隱切減薄工藝，在實現極致超薄形態(tài)的同時，保持結構完整性與性能穩(wěn)定性。更具突破性的是，團隊首次實現氮化鎵功率晶體管與硅基數字邏輯電路的單片集成。通過將復雜計算功能直接嵌入電源芯粒，無需額外輔助芯片，大幅簡化系統(tǒng)架構并降低組件間能量損耗。性能測試結果顯
  • 關鍵字： 英特爾  氮化鎵  GaN  芯粒  

意法半導體推出氮化鎵高速半橋柵極驅動器

  • 意法半導體（ST）發(fā)布兩款全新高速半橋柵極驅動器，可將氮化鎵（GaN）的高效性、熱性能與小型化優(yōu)勢，廣泛應用于各類電源及運動控制領域。STDRIVEG212 與 STDRIVEG612 可向增強型氮化鎵高電子遷移率晶體管（eGaN HEMT）輸出精準受控的 5V 柵極驅動信號，高端工作電壓分別最高支持 220V 與 600V。兩款驅動器集成度極高，在緊湊的 QFN 封裝內集成了高端與低端 5V 線性穩(wěn)壓器（LDO）、高端自舉二極管，以及欠壓鎖定（UVLO）等保護功能。內置的快速啟動穩(wěn)壓器可穩(wěn)定驅動器輸出級
  • 關鍵字： STDRIVEG212  STDRIVEG612  意法半導體  氮化鎵  GaN  高速半橋柵極驅動器  

第三代半導體的戰(zhàn)略意義：SiC和GaN如何突破硅基芯片的戰(zhàn)場局限

  • 很多人想不明白為何美國以軍事用途為由列舉出海量的半導體禁運名單中，其中絕大部分并不是最先進的處理器，而是很多看似工藝并不先進的模擬類芯片。半導體作為現代信息技術的基石，其技術迭代直接推動國防裝備的性能躍升。從第一代硅（Si）半導體到第二代砷化鎵（GaAs）半導體，再到以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的第三代寬禁帶半導體，每一次材料體系的革新，都為國防軍事裝備帶來革命性變化。與前兩代半導體相比，第三代半導體具備高飽和電子遷移速率、高擊穿電壓、高熱導率、抗輻射等核心優(yōu)勢，完美適配高溫、高壓、高頻、大
  • 關鍵字： 第三代半導體  SiC  GaN  硅基芯片  202603  

家用與AI數據中心供電全面升級

  • 全球各類行業(yè)會議正聚焦電源設計面臨的功率密度挑戰(zhàn)。從得克薩斯州奧斯汀舉辦的APEC 展會、本周在舉辦的英飛凌 AI 日，到前不久在圣何塞舉辦的GTC 大會，半導體廠商紛紛推出新方案，縮小電源系統(tǒng)體積、提升通流能力。一、Power Integrations：GaN 賦能反激電源，功率上探 450WPower Integrations（PI）采用更高效的氮化鎵（GaN） 技術，升級其核心產品線TOPSwitch。這款經典單端反激轉換器全球應用廣泛，最新 GaN 版本將功率上限從250W 提升至 450W，可用
  • 關鍵字： AI數據中心  GaN  Power Integrations  德州儀器  IsoShield  英飛凌  瑞薩  

三星加速布局第三類半導體，8寸GaN產線預計2026年投產

  • 據韓媒Theelec援引業(yè)界消息，三星電子（Samsung Electronics）正加速切入第三代半導體市場，其8寸氮化鎵（GaN）晶圓代工產線已進入量產前準備階段，預計最快將于2026年第2季正式投產。這一進展標志著三星在功率半導體領域邁出重要一步。 三星方面對GaN晶圓代工產線的具體啟動時間和客戶進展保持謹慎態(tài)度，僅回應稱“無法確認”。不過，據業(yè)界透露，三星自宣布進軍功率半導體代工市場以來，已歷時3年，近期完成了量產技術與客戶布局。盡管初期客戶數量有限，市場預估GaN晶圓代工年營收規(guī)?？赡?/li>
  • 關鍵字： 三星  第三類半導體  8寸  GaN  

硅基氮化鎵（GaN-on-Si）HEMT 在 5G 毫米波頻段的優(yōu)勢

  • 法國 SOITEC 公司與新加坡南洋理工大學的研究人員報道，適度微縮的硅基氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN-on-Si HEMT）在 30GHz 工作時，功率附加效率（PAE）突破 60%。該器件同時實現了低至 1.1dB 的業(yè)界領先噪聲系數。研究人員表示：“這些結果表明，結合優(yōu)化的外延結構與工藝，適度微縮即可帶來具備競爭力的技術方案?！毖芯繄F隊認為，這類3–6V 低壓射頻器件適用于 5G 高頻毫米波頻段（FR2，24.25–71.0GHz）的單片集成移動收發(fā)（T/R）模塊。5G 低頻段 FR1：410–
  • 關鍵字： 硅基氮化鎵  GaN-on-Si  HEMT  5G毫米波  SOITEC  

羅姆加強GaN功率器件供應能力

  • 全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）今日宣布，決定將自身擁有的GaN功率器件開發(fā)和制造技術，與合作伙伴臺積公司（TSMC）的工藝技術相融合，在集團內部建立一體化生產體系。通過獲得臺積公司的GaN技術授權，羅姆將進一步增強相應產品的供應能力，從而滿足AI服務器和電動汽車等領域對GaN產品日益增長的需求。 GaN功率器件具有優(yōu)異的高電壓和高頻特性，有助于應用產品實現更高效率和更小體積，因此已被廣泛應用于AC適配器等消費電子產品。此外，其在AI服務器的電源單元及電動汽車（EV）的車載充電器等
  • 關鍵字： 羅姆  GaN  功率器件  供應能力  

英飛凌發(fā)布《2026年GaN技術展望》：技術創(chuàng)新引領功率半導體領域氮化鎵高速增長

  • ●? ?至2030年，氮化鎵（GaN）市場規(guī)模預計將達到30億美元，年復合增長率高達44%●? ?英飛凌高壓GaN雙向開關采用變革性的共漏極設計與雙柵極結構●? ?GaN功率半導體拓展至AI、機器人、量子計算等新興市場氮化鎵（GaN）電源解決方案的普及正推動功率電子行業(yè)迎來一場重大變革。全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日發(fā)布《2026年GaN技術展望》，深度解析GaN的技術現狀、應用場景及未來前景，為行業(yè)提供重要參考。英
  • 關鍵字： 英飛凌  GaN  氮化鎵高速增長  

臺積電向世界先進與格芯授權GaN技術

  • 在全球AI浪潮高漲與綠色能源轉型加速的雙重驅動下，氮化鎵（GaN）產業(yè)正步入關鍵的黃金增長期。根據TrendForce研究，全球GaN功率器件市場預計將從2024年的3.9億美元快速增長至2030年的35.1億美元，年復合增長率（CAGR）高達44%。在此高速擴張背景下，領先晶圓代工廠的戰(zhàn)略調整正在重塑GaN產業(yè)鏈格局。盡管臺積電（TSMC）正逐步退出GaN代工服務，但已通過技術授權協(xié)議，將其深厚的技術積累轉移給合作伙伴——世界先進（VIS）與格芯（GlobalFoundries, GF）。此舉不僅推動產
  • 關鍵字： 臺積電  格芯  GaN  

小巧、輕便、高效，安森美垂直GaN解鎖功率器件應用更多可能

  • 在傳統(tǒng)橫向結構的GaN器件中，電流沿芯片表面流動。而垂直 GaN 的 GaN 層生長在氮化鎵襯底上，其獨特結構使電流能直接從芯片頂部流到底部，而不是僅在表面流動。這種垂直電流路徑讓器件能夠承受更高的電壓和更大的電流，從而實現更高的功率密度、更高的效率和更緊湊的系統(tǒng)設計。垂直架構：功率技術新高度垂直 GaN 創(chuàng)新：vGaN 支持高電壓和高頻率運行， 效率優(yōu)于硅芯片先進制造工廠：GaN 研發(fā)工作在占地 66,000 平方英尺、 配備 GaN 生產專用工具的潔凈室設施中進行專有 GaN 生長工藝：工程師借助安森
  • 關鍵字： 安森美  GaN  功率器件  

在開關模式電源中使用氮化鎵技術的注意事項

  • 本文詳細討論了GaN技術，解釋了如何在開關模式電源中使用此類寬禁帶開關，介紹了電路示例，并闡述了使用專用GaN驅動器和控制器的優(yōu)勢。而且，文中展示了LTspice?工具，以幫助理解GaN開關在電源中的使用情況。最后，展望了GaN技術的未來。
  • 關鍵字： 開關模式電源  氮化鎵  GaN  ADI  
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